一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，涉及液晶显示技术领域，为减小像素充电的负担，有利于节省电能而发明专利技术。所述阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极，和对应于像素区域的公共电极；在公共电极和像素电极之间具有第一钝化层；其中所述像素电极为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极和第二像素电极；所述公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔。所述显示装置中采用前述的阵列基板。本发明专利技术适用于显示装置的制作。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。
技术介绍
目前，随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置对高透过率、宽视角等特性的要求越来越高。高级超维场转换技术（ADvancedSuperDimensionS阵列基板itch，AD-SDS，简称ADS），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（pushMura）等优点。如图1所示，现有ADS模式的液晶显示装置中包括公共电极1和与公共电极1相对应的像素电极2，公共电极1和像素电极2之间具有绝缘层3。其中的公共电极1为板状电极，像素电极2为多个呈条形且间隔地交替分布的正电极和负电极。工作时，相邻的像素电极之间存在电压差，像素电极2与公共电极1之间也存在电压差。现有ADS模式的液晶显示装置中，由于公共电极1与像素电极2相对应，且公共电极1为板状电极，这样公共电极1与像素电极2之间的作为存储电容Cst值较大。在Cst值较大的情况下,会对像素的充电带来负担。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，能够减小像素充电的负担，有利于节省电能。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例一种阵列基板采用如下技术方案：一种阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极，和对应于像素区域的公共电极；在公共电极和像素电极之间具有第一钝化层；所述像素电极为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极和第二像素电极；所述公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔。其中，所述条形公共电极的布置方向与条形的第一像素电极和第二像素电极的布置方向相同；并且每个条形公共电极与相邻的条形的第一像素电极和条形的第二像素电极之间的间隙相对应，每个条形的第一像素电极或条形的第二像素电极与相邻的两个条形公共电极之间的间隙相对应。优选的，所述阵列基板还包括数据线；所述公共电极位于数据线上方，并且多个条形公共电极中的一条对应设置于数据线的上方；在所述条形公共电极和所述数据线之间具有第二钝化层。优选的，所述第二钝化层为树脂材料。优选的，对应设置于数据线上方的条形公共电极的宽度大于所述数据线的宽度。优选的，所述数据线上方的条形公共电极的宽度大于其它条形公共电极的宽度。优选的，所述像素电极设置于所述公共电极的上方或者下方。本专利技术的实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：在形成有薄膜晶体管的基板上形成第一钝化层；在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层；将所述公共电极层制作成多个相互间隔地分布的条形公共电极。优选的，上述方法中，在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层后还包括：在形成有所述条形公共电极的基板上形成第二钝化层；在形成有第二钝化层的基板上形成呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形；其中多个条形的第一像素电极的图形的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的图形的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极的图形与梳状的第二像素电极的图形相间隔。优选的，所述在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层前还包括：在形成有所述第一钝化层的基板上形成呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形；其中，多个条形的第一像素电极的图形的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的图形的一端相连形成梳状，梳状的第一像素电极的图形与梳状的第二像素电极的图形相间隔；在形成有所述呈条形且间隔地交替排列的第一像素电极和第二像素电极的图形的基板上，形成第三钝化层；在形成有所述第三钝化层的基板上形成所述公共电极层。优选的，所述条形公共电极的布置方向与条形的第一像素电极和第二像素电极的布置方向相同；并且每个条形公共电极与相邻的条形的第一像素电极和条形的第二像素电极之间的间隙相对应，每个条形的第一像素电极或条形的第二像素电极与相邻的两个条形公共电极之间的间隙相对应。优选的，所述将所述公共电极层制作成多个相互间隔地分布的条形公共电极包括：将所述公共电极层制作成多个相互间隔地分布的条形公共电极，其中一条公共电极对应设置于阵列基板的数据线的上方；在所述条形公共电极和所述数据线之间具有第二钝化层。本专利技术的实施例一种显示装置，包括前述任一项所述的阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述方案中，相对于与像素区域相对应的公共电极为板状电极的现有技术中而言，本专利技术实施例一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法中，由于对应于像素区域的公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极，这样能够减小所述公共电极与像素电极之间的存储电容Cst，从而能够减小像素充电的负担，有利于节省电能。附图说明图1为现有技术中公共电极与像素电极的布置结构示意图；图2为本专利技术阵列基板一实施例中公共电极与像素电极的布置结构示意图；图3为本专利技术阵列基板另一实施例中公共电极与像素电极的布置结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图2及图3所示，本专利技术实施例一种阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极2，和对应于像素区域的公共电极1；在公共电极1和像素电极2之间具有第一钝化层3；其中所述像素电极2为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极2a和第二像素电极2b；所述公共电极1为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极2a的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极2b的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔。相对于基板而言，公共电极可以制作在像素电极的下方，也可以制作在像素电极的上方。图2示例性地给出了公共电极制作在像素电极下方的情况。本专利技术实施例阵列基板中，由于对应于像素区域的公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极，这样能够减小所述公共电极与像素电极之间的存储电容Cst，从而能够减小像素充电的负担，有利于节省电能。在前述阵列基板的实施例中，为了尽可能地减小所述公共电极与像素电极之间的存储电容Cst，优选地，所述条形公共电极的布置方向与条形的第一像素电极和第二像素电极的布置方向相同；并且每个条形公共电极与相邻的条形的第一像素电极和条形的第二像素电极之间的间隙（即条形的第一像素电极与条形的第二像素电极之间的狭缝区域对应的位置）相对应，每个条形的第一像素电极或条形的第二像素电极与相邻的两个条形公共电极之间的间隙相对应。这样在像素电极的下部或上部区域不形成重叠的公共电极。在这情况下，像素电极和公共电极之间不发生直接的重叠（cap），而只发生条纹状的交错重叠（fringecap），因此条纹状的交错重叠相比直接的重叠来讲，使得公共电极与像素电极之间的存储电容Cst值变得很小。如图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极，和对应于像素区域的公共电极；在公共电极和像素电极之间具有第一钝化层；其特征在于：所述像素电极为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极和第二像素电极；所述公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：位于像素区域内的像素电极，和对应于像素区域的公共电极；在公共电极和像素电极之间具有第一钝化层；其特征在于：所述像素电极为多个呈条形且间隔地交替分布的第一像素电极和第二像素电极；所述公共电极为多个相互间隔地分布的条形公共电极；其中，多个条形的第一像素电极的一端相连形成梳状，多个条形的第二像素电极的一端相连形成梳状；梳状的第一像素电极与梳状的第二像素电极相间隔,所述像素电极设置于所述公共电极的上方；所述阵列基板还包括数据线；所述公共电极位于数据线上方，并且多个条形公共电极中的一条对应设置于数据线的上方,对应设置于数据线上方的条形公共电极的宽度大于所述数据线的宽度,所述数据线上方的条形公共电极的宽度大于其它条形公共电极的宽度；在所述条形公共电极和所述数据线之间具有第二钝化层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述条形公共电极的布置方向与条形的第一像素电极和第二像素电极的布置方向相同；并且每个条形公共电极与相邻的条形的第一像素电极和条形的第二像素电极之间的间隙相对应，每个条形的第一像素电极或条形的第二像素电极与相邻的两个条形公共电极之间的间隙相对应。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层为树脂材料。4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，用于制作如权利要求1所述的阵列基板；所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的基板上形成第一钝化层；在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层；将所述公共电极层制作成多个相互间隔地分布的条形公共电极。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一钝化层的基板上形成公共电极层后还包括：在形成有所述条形公共电...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤植，李会，徐智强，严允晟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：