一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料制造技术

本发明专利技术涉及无机非金属材料技术领域，特指一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为：（xPbNb2O6-mBiCoO3-y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）+0.01~0.6wt.%LaMnO3+0.03~0.8wt.%WO3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中,0.01≤x≤0.1mol,0.01≤m≤0.1mol,0.8≤y≤0.98mol,x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1500左右,机械品质因素为4200左右，径向机电耦合系数为0.20左右，谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好小于0.005%（老化200小时），介质损耗小于0.03%；使用过程中性能稳定性好，安全性高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及无机非金属材料
，特指一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为：（xPbNb2O6-mBiCoO3-y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）+0.01~0.6wt.%LaMnO3+0.03~0.8wt.%WO3+0.01~0.6wt.%LiNbO3；其中,0.01≤x≤0.1mol,0.01≤m≤0.1mol,0.8≤y≤0.98mol,x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1500左右,机械品质因素为4200左右，径向机电耦合系数为0.20左右，谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好小于0.005%（老化200小时），介质损耗小于0.03%；使用过程中性能稳定性好，安全性高。【专利说明】一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料
本专利技术涉及无机非金属材料
，特指一种中低频窄带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料，它采用常规的固相法陶瓷的制备方法，利用普通化学原料，制备得到高稳定高性能压电陶瓷，该压电陶瓷适合于制备中低频窄带陶瓷滤波器。技术背景压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中低频窄带陶瓷滤波器压电陶瓷，所述压电陶瓷的介电常数为1483?1512，机械品质因素为4189?4230，径向机电耦合系数为0.18?0.22，谐振频率温度系数在?55~+85℃温度范围内为0.004%?0.008%，老化200小时后的谐振频率时间稳定性tfr为0.0022%?0.0041%，介质损耗为0.018%?0.028%，其特征在于：所述压电陶瓷的组成为：（xPbNb2O6?mBiCoO3?y(Pb0.85Sr0.1Ba0.05)(Zr0.50Ti0.50)O3）+0.01~0.6?wt.%?LaMnO3?+0.03~0.8?wt.%?WO3+0.01~0.6wt.%LiNbO3...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新友，高春华，李军，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：