【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路，其特征在于该电路由同型的1个NMOS晶体管（19）和1个NMOS电容器（26）或由同型的1个PMOS晶体管（8）和一个PMOS电容器（13）组成，其中，同型的晶体管和电容器形成电学串联，且电容器的源极和电容器的漏极悬空，在实际器件结构中不设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：代永平，李明，刘宇佳，刘彐娇，史景祎，赵瑜，刘艳艳，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：实用新型
国别省市：
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