【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种用于光刻设备的辐射斑测量系统，所述系统具有目标(40)，光刻设备的辐射系统可以将辐射斑投影在目标上用于测量过程，所述目标具有测量目标(42)。所述系统还包括用以检测来自多个斑之一的辐射的辐射检测器(41)和用以接收来自辐射检测器的信号并确定辐射斑相对于辐射斑期望位置的位置的控制器(46)。【专利说明】光刻术中辐射束斑的位置测量相关申请的交叉引用本申请要求于2011年3月29日递交的美国临时申请61 / 468，852的权益，该文献以引用的方式整体并入本文。
本专利技术涉及一种光刻设备、一种测量辐射束斑位置的方法、一种制造器件的方法以及一种用于光刻设备的辐射检测器系统。
技术介绍
光刻设备是施加期望的图案到衬底或一部分衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(1C)、平板显示器以及具有精细特征的其它装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生对应于1C、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以将这一图案转移到衬底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上，例如经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·皮特斯，J·本斯乔普，M·瑞肯斯，G·范巴斯，J·德克尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：
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