发光状况测定装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高速测定半导体发光元件的发光状况，并能够根据测定结果检查半导体发光元件的发光状况测定装置。一种发光状况测定装置（3），其接收LED（101）所发射的光，并测定发光状况，其特征在于，具有：CCD（105），其设置在LED（101）的发光中心轴上并且与LED（101）相面对的位置，用于拍摄LED（101）的发光状况；以及透镜部（123），其接收LED（101）所发射的光，并且将该光面向CCD（105）发射。透镜部（123）设置于LED（101）与CCD（105）之间并且较靠近LED（101）的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：望月学，藤森昭一，广田浩义，市川美穗，
申请(专利权)人：日本先锋公司，先锋自动化设备股份有限公司，
类型：
国别省市：