碳二亚胺发光材料制造技术

本发明专利技术涉及通式I的化合物：其中：M代表Al、Ga、Y、Gd或Lu，且m代表1-3的值，且n代表0.005m≤n≤0.2m的值，且p代表0-3的值，且w代表0-2的值，且x代表0≤x≤m的值，且z代表0≤z≤0.4的值；和制备这些无机发光材料的方法及其作为转换无机发光材料或在灯中的用途。(Sr1-z-nCazEun)mMp(SiN2)m-x(CN2)xSi3wN4w+p?(I)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·沃斯格罗内，H·温克勒，R·派特里，A·本克尔，T·朱斯特尔，D·乌利希，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：
国别省市：