四氮杂靴二蒽化合物及其作为n-型半导体的用途制造技术

一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物，其中：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8在每次出现时独立地选自H、Cl和Br，条件是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个为Cl或Br，R9、R10在每次出现时独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C7-20芳基烷基，其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代：卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2基团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·加德，S·马滕斯，S·盖伯，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：