【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源，包括μVT^2电流产生模块、μVTH^2电流产生模块、高阶正温度系数电流产生模块和基准电压产生模块；其中，μVT^2电流产生模块产生的第一偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的一个输入端和基准电压产生模块的一个输入端；μVTH^2电流产生模块产生的第二偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的另一个输入端，高阶正温度系数电流产生模块产生第三偏置电压连接到基准电压产生模块的另一个输入端；基准电压产生模块的输出端输出基准电压；所述μVT^2电流产生模块包括，PMOS管：MPS1、MPS2、MP1、MP2、MP3，NMOS管：MNS1、MN1...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，李涅，张晓敏，崔佳男，石跃，明鑫，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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