用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法技术

用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法。本发明专利技术公开了一种用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，利用经过校准的四探针电阻率量测仪测量N/P结构外延片；利用汞探针电阻率量测仪测量N/N结构外延片，并根据统计数据建立线性对应关系，实现利用四探针电阻率量测仪的测量值作为标准表征汞探针电阻率量测仪的测量值。本发明专利技术提供了用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，该标准片电阻率值可以与国际标准值接轨，寿命长、且可重复生长，成本低、可长时间使用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，其特征在于，通过以下步骤确定：1）、在同样的参数下连续生产N/P结构外延片和N/N结构外延片；所述N/P结构外延片包括P型衬底和N型掺杂外延层；所述N/N结构外延片包括N型衬底和N型掺杂外延层；两种外延片的外延层厚度均为15μm以上；2）、使用四探针电阻率量测仪测量N/P结构外延片外延层的电阻率值，记为X；使用汞探针电阻率量测仪测量N/N结构外延片外延层的电阻率值，记为Y；3）、重复步骤1）、2）多次，根据测量的多个Y值与多个X值，得出两者的线性对应公式Y=aX+b中a的值和b的值；4）、在同一参数下连续生产多片N/P结构外延片和多片N/N结构外延片，并使用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，邹崇生，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：