成人多能祖细胞的培养基以及采用成人多能祖细胞的培养基培养成人多能祖细胞的方法技术

本发明专利技术公开的成人多能祖细胞的培养基包括560ml低糖DMEM、400mlMCDB-201、20ml胎牛血清、20ml双抗青霉素和链霉素、10ug胰岛素-转铁蛋白-硒（1×）、0.039mg地塞米松、25.6mg2-磷酸抗坏血酸、1ug重组人表皮生长因子、1ug重组人血小板衍化生长因子BB和1ug白血病抑制因子；本发明专利技术公开的采用成人多能祖细胞的培养基培养成人多能祖细胞的方法包括采用成人多能祖细胞的培养基，500/cm2低密度贴壁培养，并用CD45、GlyA免疫微磁珠分选去除CD45、GlyA阳性杂质细胞纯化MAPC。本发明专利技术提供的成人多能祖细胞的培养基生长更好、纯度更高，本发明专利技术提供的采用成人多能祖细胞的培养基培养成人多能祖细胞的方法培养时间更短。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种成人多能祖细胞的培养基，其特征是：包括560ml低糖DMEM、400mlMCDB?201、20ml胎牛血清、20ml双抗青霉素和链霉素、10ug胰岛素?转铁蛋白?硒（1×）、0.039mg地塞米松、25.6mg?2?磷酸抗坏血酸、1ug重组人表皮生长因子、1ug重组人血小板衍化生长因子BB?和1ug白血病抑制因子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范时洋，
申请(专利权)人：潘骏，
类型：发明
国别省市：