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一种双咪唑型离子晶体及其制备方法技术

技术编号:9377432 阅读:162 留言:0更新日期:2013-11-27 19:51
本发明专利技术涉及一种双咪唑型离子晶体,它的化学结构通式为:或,其中:X为Cl、Br、I中的一种,Y为BF4、TFSI、PF6中的一种,q为0至5的整数。本发明专利技术合成的双咪唑型离子晶体,相对于单咪唑型离子晶体,它具有较高的电导率(~10-5S/cm),并且制备该双咪唑型离子晶体的方法操作简单,有利于商业化生产,前景广阔。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双咪唑型离子晶体,其特征在于:它的化学结构通式为:?其中:X为Cl、Br、I中的一种,q为0至5的整数。2013103198626100001dest_path_image001.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵杰丛姗邹贵付曹梦瑜
申请(专利权)人:苏州大学
类型:发明
国别省市:

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