离子囚禁的稳频信号源的DDS射频信号源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于离子囚禁的稳频DDS射频信号源的装置，其主要由高精度恒温晶振、低噪声倍频器、DDS模块、低通滤波器、自动增益放大器、衰减器和控制器组成。高精度恒温晶振输出的10MHZ信号经缓冲放大后接倍频器，经过100倍频后作为参考时钟送DDS模块，在ARM控制器下产生捷变的幅度、相位、频率可控高稳稳频射频源，经过低通滤除杂散并经过自动增益和衰减缓冲放大调节输出幅度。本实用新型专利技术采用恒温晶振直接倍频，大大提高了信号的杂散水平，采用ARM控制器提高了幅度、相位、频率捷变速度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种离子囚禁的稳频信号源的DDS射频信号源，其特征是由高精度恒温晶振、低噪声倍频器、DDS模块、低通滤波器、自动增益控制器、可控的衰减器、缓冲放大器和ARM控制器组成，高精度恒温晶振输出的10MHZ信号经过缓冲放大器放大后接低噪声倍频器，经过100倍频后作为参考时钟接送DDS模块，在ARM控制器下控制DDS模块产生射频信号输出，该信号经过低通滤波器滤除杂散并平滑信号后，再经过衰减器和自动增益控制器调节输出所述信号的幅度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永泰，程龙，臧滨，王志明，孙长景，陈亮，彭俊杰，唐静，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：实用新型
国别省市：