日盲紫外DBR及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为d2的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N-Alx2Iny2Ga1-x2-y2N组分渐变层、厚度为d3的Alx3In1-x3N层和厚度为d4的Alx4Ga1-x4N层组成。本发明专利技术中In组分的加入可以减小各层之间的晶格失配度，同时，组分渐变层有利于AlInN层的外延生长，Al0.5Ga0.5N模板层的应用也有利于组分渐变层的外延生长，解决由于晶格失配累积的应变所导致的缺陷或者开裂问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为d2的Alx1Iny1Ga1?x1?y1N?Alx2Iny2Ga1?x2?y2N组分渐变层、厚度为d3的Alx3In1?x3N层和厚度为d4的Alx4Ga1?x4N层组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敦军，张荣，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：