一种新型磁控式并联电抗器的仿真建模方法技术

技术编号:9356815 阅读:222 留言:0更新日期:2013-11-20 23:58
本发明专利技术属于数字仿真建模方法领域,特别是针对一种新型结构的特高压磁控式并联电抗器(MCSR)的建模方法,在分析其磁路结构的基础上,依据电磁感应定律、安培环路定理、磁路定理等物理原理建立了该新结构MCSR的数学模型,将所述新结构的磁控式并联电抗器拆分前每相结构等效为两个饱和三绕组变压器,一个饱和双绕组变压器和两个饱和电抗器,从而克服了由于仿真软件中没有集成类似模块对仿真分析带来的困难,弥补了目前国内外仿真工具在这种新结构MCSR仿真方面的不足,为进一步分析该新结构MCSR的特性奠定了理论基础,对其在工程应用和推广方方面具有指导意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型结构的磁控式并联电抗器的建模方法,所述新型结构的磁控式并联电抗器的一次接线形式为:网侧绕组(1)三相接成Y形,中心点直接接地;补偿绕组(3)接为角形,引出线连接滤波器支路;每相两根控制绕组(2)反向串联形成一条控制支路,三相控制支路并联于整流输出两端,所述新型结构的磁控式并联电抗器的本体为三相电抗器组,每相电抗器的单相绕组的铁芯包括左芯柱(p)和右芯柱(q),左旁柱及左上下轭(C)、右旁柱及右上下轭(D)、中间上轭(E)、中间下轭(F),网侧绕组(1)每相采用分支绕组结构,分别绕在两个分裂铁芯柱上,置于最外层;每相补偿绕组(3)绕法与网侧绕组(1)相同,置于中间层,每相控制绕组(2),也分别绕在两个芯柱上,置于最内层,其特征在于,所述建模方法包括如下步骤:?步骤一:定义物理量及其正方向,记各绕组支路电流为i,电压为u,感应电动势为e,漏电感为L,电阻为r,绕组匝数为N,磁场强度为H,磁通为Φ,磁路长度为l,电流i、电压u、感应电动势e、漏电感L、电阻r、其中磁场强度Hk、磁通Φk、磁路长度lk(k=1,2,3,4,5)的下标k表示磁路编号,第1磁路为左芯柱(p)部分的磁路,第2磁路为右芯柱(q)部分的磁路,第3磁路为左旁柱及左上下轭(C)部分的磁路,第4磁路为右旁柱及右上下轭(D)部分的磁路,第5磁路为中间上轭(E)和中间下轭(F)两部分的磁路;?步骤2:列出各个绕组的电压方程:?步骤3:根据安培环路定理列写方程:?H1l1+H3l3=Np1ip1+Np3ip3+Np2ip2????(7)?H2l2+H4l4=Nq1iq1+Nq3iq3?Nq2iq2????(8)?H3l3?H4l4?H5l5=0????(9)?步骤4:根据磁路基尔霍夫第一定律有:?Φ1=Φ3+Φ5????(10)?Φ4=Φ2+Φ5????(11)?步骤5:拆分第1磁路和第3磁路,令?步骤6:将把式(7)拆成两个部分,使其满足:?步骤7:拆分第2磁路和第4磁路,令?并使式(8)满足:?步骤8:由式(9)、(12)~(17)得到?。FDA00003638894000021.jpg,FDA00003638894000022.jpg,FDA00003638894000023.jpg,FDA00003638894000024.jpg,FDA00003638894000025.jpg,FDA00003638894000026.jpg,FDA00003638894000027.jpg,FDA00003638894000031.jpg,FDA00003638894000032.jpg,FDA00003638894000033.jpg,FDA00003638894000034.jpg,FDA00003638894000035.jpg,FDA00003638894000036.jpg...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑涛赵彦杰张振环雷晰徐桂芝章海庭孙强朱岸明王中阳王敏
申请(专利权)人:华北电力大学中电普瑞科技有限公司陕西省电力公司规划评审中心西北电网有限公司
类型:发明
国别省市:

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