【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于半导体纳米线垂直阵列的高温气体传感器，其特征在于包括：一片厚度方向振动的兰克赛谐振晶体；一层厚度为10nm的半导体薄膜，所述的半导体薄膜为ZnO薄膜；一个半导体ZnO纳米线阵列；以及两片100nm厚Au电极；两片100nm厚的Au电极采用MEMS工艺分别制备在兰克赛厚度方向振动的谐振晶体的上、下表面；厚度为10nm的半导体薄膜生长在厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上，半导体ZnO纳米线阵列贯穿厚度为10nm的半导体薄膜并垂直生长在位于厚度方向振动的兰克赛谐振晶体的上表面的Au电极上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程宏斌，郑学军，田丰，王现英，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：
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