气体辅助型有机场效应晶体管传感器及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种气体辅助型场效应晶体管传感器及其制备方法与应用。该有机场效应晶体管，包括栅电极层、绝缘层、源电极、漏电极、有机半导体层和气体接收层；为如下结构a或b：结构a：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述有机半导体层位于所述绝缘层之上；所述源电极、漏电极和气体接收层位于同一层，且均位于所述有机半导体层之上；结构b：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述源电极和漏电极位于所述绝缘层之上；所述有机半导体层覆盖所述源电极、漏电极及绝缘层上未被源电极和漏电极覆盖的区域；所述气体接收层位于所述有机半导体层之上。该晶体管可实现对不同气体的有效检测并制备多气体传感器，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种有机场效应晶体管传感器，包括栅电极层、绝缘层、有机半导体层、源电极、漏电极和气体接收层；所述传感器的结构为如下结构a或b：结构a：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述有机半导体层位于所述绝缘层之上；所述源电极、漏电极和气体接收层位于同一层，且均位于所述有机半导体层之上；结构b：所述绝缘层位于所述栅电极层之上；所述源电极和漏电极位于所述绝缘层之上；所述有机半导体层覆盖所述源电极、漏电极及绝缘层上未被源电极和漏电极覆盖的区域；所述气体接收层位于所述有机半导体层之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：狄重安，臧亚萍，张凤娇，孟青，朱道本，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：