【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件，其组成是：硅基底、逻辑层、绝缘层和控制层；其特征是:以不同方式配置该器件的输出端口可以得到不同的逻辑门器件，可以实现一块芯片的多种逻辑门复用的功能，该逻辑器件的逻辑值是非易失性且变化非可逆；其结构特征是：所述基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件的顶层为逻辑层,是一根多端口导线，通过将逻辑层各端口按照一定的规则连接到外部电路，可以实现输出端对输入端与、或、非逻辑功能的输出；中间层为绝缘层，用于保持逻辑层和控制层的绝缘；绝缘层之下为控制层包括基于电热作用的一次性MEMS?ON?OFF双稳态开关器件和四个控制端，底层为硅基底，其中基于电热作用的一次性MEMS?ON?OFF双稳态开关器件作用区位于逻辑层中相邻两个端口之间的一段导线正下方，且与该段导线垂直，四个控制端用于连接外部控制电路，可以根据外部信号使MEMS开关作用，将该开关上方的导线断开，实现逻辑值的变化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：娄文忠，丁旭冉，赵越，刘鹏，王辅辅，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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