复合构件制造技术

技术编号:9351473 阅读:108 留言:0更新日期:2013-11-20 18:56
本发明专利技术提供适合半导体元件的散热构件的复合构件及其制造方法。该复合构件由镁或镁合金与SiC复合而成,该复合构件中的孔隙率小于3%。该复合构件可以通过在原料SiC的表面形成氧化膜,将形成有氧化膜的被覆SiC配置于模具中,并使溶融金属(镁或镁合金)熔浸到该被覆SiC集合体中来制造。通过形成氧化膜,能够提高SiC与溶融金属的润湿性,降低复合构件中的孔隙率。通过该制造方法,能够制造热膨胀系数为4ppm/K以上且10ppm/K以下、热导率为180W/m·K以上的热特性优良的复合构件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种复合构件的制造方法,用于制造由镁或镁合金与SiC复合而成的复合构件,其特征在于,包括:熔渗工序,向收纳于模具中的SiC集合体中熔渗熔融的镁或镁合金,从而形成熔渗板;和冷却工序,从所述熔渗板中与所述熔融的镁或镁合金的供给侧相反的一侧开始,沿着一个方向冷却所述熔渗板,使所述熔融的镁或镁合金凝固。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:岩山功中井由弘西川太一郎高木义幸草刈美里池田利哉
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社联合材料公司
类型:发明
国别省市:

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