磁传感器制造技术

技术编号:9335528 阅读:95 留言:0更新日期:2013-11-13 13:45
本发明专利技术的目的特别是提供一种磁传感器,相对于延伸部的延伸方向不同的多个蜿蜒状元件而利用一种导体部的图案便足够。第1元件(11)是在Y方向上延伸且在X方向上空出间隔地排列的多条第1延伸部(11a)连接成的蜿蜒状元件。第2元件(12)是在X方向上延伸且在Y方向上空出间隔地排列的多条第2延伸部(12a)连接成的蜿蜒状元件。第1元件及第2元件的至少一方是发挥磁阻效应的磁阻效应元件。导体部(14)连接在隔着间隔对置的第1延伸部(11a)之间或第2延伸部(12a)之间。导体部(14)是具有在X方向上延伸的第1边(14a)及在Y方向上延伸的第2边(14b)的正方形。第1边的长度尺寸(L1)大于间隔(T1),第2边的长度尺寸(L2)大于间隔(T2)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种磁传感器,其特征在于,具有:蜿蜒状元件,其通过在平面内的规定方向上延伸且在所述规定方向的正交方向上空出间隔地排列的多条延伸部在端部之间被电连接而成;和电阻调整用的导体部,其对隔着所述间隔而对置的所述延伸部之间进行电连接,所述蜿蜒状元件具有第1元件和第2元件,构成所述第1元件的所述延伸部在所述平面内的第1方向上延伸且在所述第1方向的正交方向上空出第1间隔地排列,构成所述第2元件的所述延伸部在与所述第1方向不同的所述平面内的第2方向上延伸且在所述第2方向的正交方向上空出第2间隔地排列,所述第1元件以及所述第2元件之中的至少一方是层叠磁性层和非磁性层而成的发挥磁阻效应的磁阻效应元件,所述导体部是具有与所述第1方向的正交方向平行的第1边、以及与所述第2方向的正交方向平行的第2边的多边形状,所述第1边的长度尺寸大于所述第1间隔,所述第2边的长度尺寸大于所述第2间隔。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:小池文人佐佐木晋一远藤一一朝妻浩太
申请(专利权)人:阿尔卑斯电气株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1