一种射频耦合器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种射频耦合器，包括第一腔体、固定于第一腔体内的第一导体，所述第一导体一端为射频输入端口，另一端则为隔离输出端口，还包括连接于第一腔体上的第二腔体，所述第二腔体内设有第二导体，所述第二导体一端设有SMA型隔离端口，另一端与第一导体的射频输入端口连接。本实用新型专利技术优点是，通过使用上述结构，使耦合器可以通过SMA型隔离端口直接与射频单元连接，从而测量整个耦合系统中的耦合度；直接简化了耦合器与射频单元的对接方案，从而使得隔离端口与射频端口对接变得非常容易；使得利用本射频耦合器的测量系统比现有的测量系统体积小两倍以上，因此空间利用率极高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种射频耦合器，包括第一腔体（1）、固定于第一腔体（1）内的第一导体（2），所述第一导体（2）一端为射频输入端口，另一端则为隔离输出端口，其特征在于：还包括连接于第一腔体（1）上的第二腔体（6），所述第二腔体（6）内设有第二导体（3），所述第二导体（3）一端设有SMA型隔离端口，另一端与第一导体（2）的射频输入端口连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付少卫，
申请(专利权)人：安费诺科耐特西安科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：