集成电路可靠度测试方法技术

本发明专利技术提供一种集成电路可靠度测试方法，包含下列步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路；将晶圆基板置入测试装置，使复数个集成电路与测试装置之测试电路耦接；提供测试条件给测试机台，测试条件包含常态操作温度、压力操作温度、常态操作电压、压力操作电压、活化能以及机台参数；使用测试机台以测试条件同时地对复数个集成电路进行测试，并持续测试时间；当复数个集成电路经过测试时间仍全部正确工作时，提供信心参数值；以及根据测试条件包含的各条件的数值以及信心参数值获得集成电路预估寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种集成电路可靠度测试方法。
技术介绍
随着电子装置日渐轻薄短小，晶片的速度及复杂性相对越来越高，因此对于集成电路可靠度的要求也越来越高。因此，为保证集成电路一切工作正常，满足客户的要求，通常会进行一些可靠度测试，例如高温动作可靠度测试（High Temperature Operation Life,HTOL,Test）、高温储存可靠度测试（High Temperature Storage Life,HTOL,Test）、焊接点测试(Solder Joint Reliability Test)、冷热循环测试(Temperature Cyclic Test)、三点弯曲测试(Three Point Bending test)、震动测试(Vibration Test)等。其中，高温动作可靠度测试的结果更是用来评估使用此集成电路的电子产品的使用寿命的重要参考依据。在公知的高温动作可靠度测试中，被测试的集成电路先逐一完成封装，然后再置入机台进行测试，测试时间可能长达数日到数周。若测试结果不如预期而需重新设计，新制造出的集成电路又要再封装然后再经一段时间的测试。因此，公知的高温动作可靠度测试不仅在封装的花费较高，且因测试所需时间较长导致效率不佳，有改善的空间。
技术实现思路
本专利技术的主要目的为提供一种集成电路可靠度测试方法，可缩短测试时间。本专利技术的另一目的为提供一种集成电路可靠度测试方法，可增进集成电路设计工作的效率。本专利技术的集成电路可靠度测试方法，包含下列步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路；将晶圆基板置入测试装置，使复数个集成电路与测试装置的测试电路耦接；提供测试条件给测试机台，测试条件包含常态操作温度、压力操作温度、常态操作电压、压力操作电压、活化能以及机台参数；使用测试机台以测试条件同时地对复数个集成电路进行测试，并持续测试时间；当复数个集成电路经过测试时间仍全部正确工作时，提供信心参数值；以及根据测试条件包含的各条件的数值以及信心参数值获得集成电路预估寿命。集成电路预估寿命获得步骤包含将测试条件包含的各条件的数值、测试时间以及信心参数值代入下列公式（1）计算，以获得集成电路预估寿命； MTTF = 2 × [ ( exp ( Ea k ) ( 1 T use - 1 T stress ) ) × ( exp Y V ( V stress - V use ) ) ] × TH × SS X 2 ( % CL , 2 r + 2 ) - - - ( 1 ) ]]>其中，MTTF表示集成电路预估寿命，单位为小时；Ea表示活化能，单位为eV；k为8.62×10-5，单位为eV/K；Tuse表示常态操作温度，单位为K；Tstress表示压力操作温度，单位为K；Yv表示机台参数，单位为1/V；Vuse表示常态操作电压，单位为V；Vstress表示压力操作电压，单位为V；TH表示测试时间；SS表示复数个集成电路的数目值，单位为小时；以及X2(%CL,2r+2)表示信心参数值。测试条件进一步包含氧化层厚度，集成电路预估寿命获得步骤包含将测试条件包含的各条件的数值、测试时间以及信心参数值代入下列公式（2）计算，以获得集成电路预估寿命； MTTF = 2 × [ ( exp ( Ea / k ) ( 1 / 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路可靠度测试方法，包含下列步骤：于一晶圆基板形成复数个集成电路；将该晶圆基板置入一测试装置，使该复数个集成电路与该测试装置的测试电路耦接；提供一测试条件给该测试机台，该测试条件包含一常态操作温度、一压力操作温度、一常态操作电压、一压力操作电压、一活化能以及一机台参数；使用该测试机台以该测试条件同时地对该复数个集成电路进行测试，并持续一测试时间；当该复数个集成电路经过该测试时间仍全部正确工作时，提供一信心参数值；以及根据该测试条件包含的各条件的数值以及该信心参数值获得一集成电路预估寿命。

【技术特征摘要】
2012.05.04 TW 1011160241.一种集成电路可靠度测试方法，包含下列步骤：
于一晶圆基板形成复数个集成电路；
将该晶圆基板置入一测试装置，使该复数个集成电路与该测试装置
的测试电路耦接；
提供一测试条件给该测试机台，该测试条件包含一常态操作温度、
一压力操作温度、一常态操作电压、一压力操作电压、一活化能以及一
机台参数；
使用该测试机台以该测试条件同时地对该复数个集成电路进行测
试，并持续一测试时间；
当该复数个集成电路经过该测试时间仍全部正确工作时，提供一信
心参数值；以及
根据该测试条件包含的各条件的数值以及该信心参数值获得一集成
电路预估寿命。
2.如权利要求1所述的集成电路可靠度测试方法，其中该集成电路
预估寿命获得步骤包含将该测试条件包含的各条件的数值、该测试时间
以及该信心参数值代入下列公式（1）计算，以获得该集成电路预估寿命；
MTTF = 2 × [ ( exp ( Ea k ) ( 1 T use - 1 T stress ) ) × ( exp Y V ( V stress - V use ) ) ] × TH × SS X 2 ( % CL , 2 r + 2 ) - - - ( 1 ) ]]>其中，MTTF表示该集成电路预估寿命，单位为小时；
Ea表示该活化能，单位为eV；
k为8.62×10-5，单位为eV/K；
Tuse表示该常态操作温度，单位为K；
Tstress表示该压力操作温度，单位为K；
Yv表示该机台参数，单位为1/V；
Vuse表示该常态操作电压，单位为V；
Vstress表示该压力操作电压，单位为V；
TH表示该测试时间，单位为小时；
SS表示该复数个集成电路的数目值；以及
X2(%CL,2r+2)表示该信心参数值。
3.如权利要求1所述的集成电路可靠度测试方法，其中该测试条件
进一步包含一氧化层厚度，该集成电路预估寿命获得步骤包含将该测试
条件包含的各条件的数值、该测试时间以及该信心参数值代入下列公式
（2）计算，以获得该集成电路预估寿命；
MTTF = 2 × [ ( exp ( Ea / k ) ( 1 / T use - 1 / T stress ) ) × ( exp Y ( V stress TOX - V use TOX ) ) ] × TH × SS X 2 ( % CL , 2 r + 2 ) - - - ( 2 ) ]]>其中，MTTF表示该集成电路预估寿命，单位为小时；
Ea表示该活化能，单位为eV；
k为8.62×10-5，单位为eV/K；
Tuse表示该常态操作温度，单位为K；
Tstress表示该压力操作温度，单位为K；
Y表示该机台参数，单位为cm/MV；
Vuse表示该常态操作电压，单位为V；
Vstress表示该压力操作电压，单位为V；
TOX表示该氧化层厚度，单位为TH表示该测试时间，单位为小时；
SS表示该复数个集成电路的数目值；以及
X2(%CL,2r+2)表示该信心参数值。
4.如权利要求2或3所述的集成电路可靠度测试方法，其中该信心
参数值提供步骤包含：
决定一测试信心比例；以及
由信心参数表获得与该测试信心比例相对应的该信心参数值。
5.如权利要求1所述的集成电路可靠度测试方法，其中该复数个集
成电路形成步骤所形成的集成电路数目介于1000至10000个之间。
6.如权利要求1所述的集成电路可...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀生，谢其文，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：