一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘制造技术

一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明专利技术的技术方案要点是，本发明专利技术的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。本发明专利技术能够有效降低SiC单晶基片的加工成本，并且提高了SiC单晶基片的加工质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，其特征在于：固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏建修，庞子瑞，马利杰，付素芳，姚建国，郑秋白，刘志响，张竹青，
申请(专利权)人：河南科技学院，
类型：发明
国别省市：