功率半导体模块制造技术

技术编号:9281344 阅读:104 留言:0更新日期:2013-10-25 00:59
半导体装置(509a、b)包括半导体芯片(504a、b),其包括底部电极和顶部电极以及底部电极基板(502)。底部电极基板(502)导电且导热。半导体装置(509a、b)包括顶部电极基板(508)。该顶部电极基板(508)导电且导热。半导体装置(509a、b)包括第一预型件(506a、b),其由配置用于在熔化时支持形成导电合金的材料制成。为了提供具有增强特性的半导体装置,半导体芯片(504a,b)的底部电极经由第一接合层(618)热且电连接到底部电极基板(502),半导体芯片(504a、b)的顶部电极经由第二接合层(620)热且电连接到第一预型件(506a、b)的第一侧,并且第一预型件(506a、b)的第二侧经由第三接合层(624)热且电连接到顶部电极基板(508)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:S基辛N舒尔滋J赫夫纳C刘A哈米迪JH法比安
申请(专利权)人:ABB研究有限公司
类型:
国别省市:

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