本发明专利技术提供一种带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其具有部件素体(4)和外部电极(3a)、(3b)，所述部件素体(4)是将由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a)～(1g)和以Ni为主成分的多个内部电极层(2a)～(2f)交替层叠并烧结而成，所述外部电极(3a)、(3b)在该部件素体(4)的两端部与所述内部电极层(2a)～(2f)电连接，除外装用半导体陶瓷层(1a)、(1g)外的半导体陶瓷层(1b)～(1f)的各厚度为20μm以上，所述半导体陶瓷层(1a)～(1g)中的晶粒的平均粒径为1.5μm以下。在用WDX法对半导体陶瓷层的层叠方向的中央部或该中央部附近进行分析时，Ni元素的强度x与Ti元素的强度y的比率x/y为0.06以下。由此，实现制品间的特性偏差小、能够稳定获得良好电特性和绝缘性、且具有良好的可靠性的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：川本光俊，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：
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