一种多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池及其制备方法。电池结构为：FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极。制备方法为：以溶胶-凝胶法或磁控溅射在FTO或AZO透明导电玻璃衬底上制备ZnO籽晶层，以水热合成法在籽晶层上制备ZnO纳米阵列，再采用金属诱导法在纳米阵列表面沉积P型多晶硅薄膜，最后镀上金属电极形成n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。此结构特征为Si薄膜全面包覆ZnO纳米棒，利用纳米阵列传递载流子提升光伏转换效率；N型ZnO与P型Si共一族掺杂元素，还可利用金属诱导法时金属原子掺杂，形成有效的PN结。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，其结构依次包括：FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：羊亿，陈丝懿，王高飞，孙汝廷，
申请(专利权)人：湖南师范大学，
类型：发明
国别省市：