一种表面覆盖Pt电极的TiO2纳米管阵列室温氢气传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种室温氢气传感器，具体涉及表面覆盖Pt电极的TiO2纳米管阵列氢敏元件的制备与性能检测。本发明专利技术所述的氢敏元件的制备方法为：将裁剪合适的高纯度工业用Ti箔片经严格清洗后置于氟化铵和乙二醇水溶液中阳极氧化处理3h，制备出表面均匀、高度有序的TiO2纳米管阵列。采用表面覆盖Pt电极的TiO2纳米管阵列作为氢敏元件，提高了传感器灵敏度、响应速度，降低了工作温度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种表面覆盖Pt电极的TiO2纳米管阵列室温氢气传感器的制备方法，其特征在于步骤为：1)Ti箔片的清洗：a将纯度为99.99％的工业用Ti箔片裁剪成长方形，然后采用细砂纸打磨；b将打磨后的长方形Ti箔片先后使用丙酮、酒精和去离子水在高功率下各超声清洗30min，并在空气环境中80℃烘干；2)采用直接阳极氧化法，在Ti箔片表面生长TiO2纳米管阵列，具体流程和工艺条件如下：a将清洗后的长方形Ti箔片置于装有0.2wt％氟化铵的乙二醇水溶液的多功能阳极氧化装置一侧，用导线接入稳压电源正极；将阴极铜片置于阳极氧化装置的另一侧并用导线接入稳压电源负极；b阳极氧化过程：在室温(15℃～25℃)环境下采用45V恒定电压氧化3h得到TiO2纳米管阵列；c表面处理：将氧化后的TiO2样品先采用大量去离子水反复冲洗，然后置于氢氟酸中低功率超声清洗；d退火结晶处理：将阳极氧化后的样品置于管式退火炉恒温区，在空气环境中以10℃/min的升温速率升至500℃后保温3h，然后关闭加热装置，自然冷却到室温；3)一种表面覆盖Pt电极的TiO2纳米管阵列室温氢气传感器，其表面Pt电极的制备步骤为：a用上述方法制备的TiO2纳米管阵列氢敏元件，在它表面预先制作电极图形掩模板；?b采用直流磁控溅射技术，在TiO2纳米管阵列表面的中间区域制备长方形Pt电极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈侃松，谢鲲，冯新然，胡瑞，顾豪爽，黎旸，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：