【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种表面保护片，其具备基材层和粘接剂层，其特征在于：在硅晶片上粘贴该表面保护片并在40℃中放置24小时后，置于23℃的温度环境下，剥离该表面保护片后的该硅晶片的表面由光电子能谱测得的C/Si比为0.8以下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山户二郎，林圭治，泽﨑良平，吉田真理子，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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