一种水热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法技术

技术编号:9252636 阅读:131 留言:0更新日期:2013-10-16 19:29
一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,将SmCl3·6H2O加入去离子水中得透明溶液;调节透明溶液的pH调节至4.5~5.5后再加入聚乙烯醇水溶液得镀膜液;在ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后干燥并热处理;将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中再用调节其pH调至5.0~5.8作为生长液;将上述生长液倒入水热釜中,将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中,密封水热釜,放入电热真空干燥箱中,反应结束后自然冷却至室温;取出基板,洗涤后真空干燥即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。本发明专利技术制备Sm2O3纳米阵列的反应在液相中完成,不需要进行后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将分析纯SmCl3·6H2O加入30mL去离子水中,搅拌制得Sm3+浓度为0.05~0.20mol/L的透明溶液;步骤二:用氨水溶液将上述透明溶液的pH调节至4.5~5.5,搅拌后形成溶胶,向其中加入0.2~1.2mL聚乙烯醇水溶液,搅拌均匀后作为镀膜液;步骤三:在清洗干净的ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后,置于高温干燥箱中,先于50~70℃下烘干,再于300~500℃高温下热处理1~3h;步骤四:将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中,搅拌制得Sm3+浓度为0.01~0.15mol/L的透明溶液,再用5%的氨水溶液将上述透明溶液的pH调至5.0~5.8作为生长液;步骤五:将上述生长液倒入水热釜中,填充度控制在60%~80%,将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中,密封水热釜,放入电热真空干燥箱中,在120~240℃下反应6~45h,反应结束后自然冷却至室温;步骤六:打开水热釜,取出基板,分别用去离子水和无水乙醇冲洗后置于50~80℃的真空干燥箱内干燥,即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:殷立雄王丹黄剑锋郝巍李嘉胤曹丽云吴建鹏
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:

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