【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:将分析纯SmCl3·6H2O加入30mL去离子水中,搅拌制得Sm3+浓度为0.05~0.20mol/L的透明溶液;步骤二:用氨水溶液将上述透明溶液的pH调节至4.5~5.5,搅拌后形成溶胶,向其中加入0.2~1.2mL聚乙烯醇水溶液,搅拌均匀后作为镀膜液;步骤三:在清洗干净的ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后,置于高温干燥箱中,先于50~70℃下烘干,再于300~500℃高温下热处理1~3h;步骤四:将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中,搅拌制得Sm3+浓度为0.01~0.15mol/L的透明溶液,再用5%的氨水溶液将上述透明溶液的pH调至5.0~5.8作为生长液;步骤五:将上述生长液倒入水热釜中,填充度控制在60%~80%,将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中,密封水热釜,放入电热真空干燥箱中,在120~240℃下反应6~45h,反应结束后自然冷却至室温;步骤六:打开水热釜,取出基板,分别用去离子水和无水乙醇冲洗后置于50~80℃的真空干燥箱内干燥,即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:殷立雄,王丹,黄剑锋,郝巍,李嘉胤,曹丽云,吴建鹏,
申请(专利权)人:陕西科技大学,
类型:发明
国别省市:
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