【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种异质结，其特征是：包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨锋，胡广达，武卫兵，杨长红，吴海涛，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：
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