一种用辅助电极击穿来带电检测真空断路器真空度的方法技术

本发明专利技术提供了一种用辅助电极击穿来带电检测真空断路器真空度的方法，所述真空断路器包括上出线杆、扭转保护环、波纹管、屏蔽罩、动触头、静触头、下出线杆和绝缘外壳，所述方法包括以下步骤：（a）在所述屏蔽罩和所述绝缘外壳之间设置用于检测真空度的辅助电极，所述辅助电极设置在所述绝缘外壳内侧，其一端与所述屏蔽罩之间相隔一定间隙距离；（b）将所述辅助电极和所述屏蔽罩引出到所述真空断路器的外部；（c）将所述辅助电极和所述屏蔽罩引出后接入到检测回路中，并通过施加冲击电压以测试二者之间的击穿情况，若击穿，则所述真空断路器的真空度不满足要求，若未击穿，则所述真空断路器的真空度满足要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用辅助电极击穿来带电检测真空断路器真空度的方法，所述真空断路器包括上出线杆、扭转保护环、波纹管、屏蔽罩、动触头、静触头、下出线杆和绝缘外壳，所述方法包括以下步骤：（a）在所述屏蔽罩和所述绝缘外壳之间设置用于检测真空度的辅助电极，所述辅助电极设置在所述绝缘外壳内侧，其一端与所述屏蔽罩之间相隔一定间隙距离；（b）将所述辅助电极和所述屏蔽罩引出到所述真空断路器的外部；（c）将所述辅助电极和所述屏蔽罩引出后接入到检测回路中，并通过施加冲击电压以测试二者之间的击穿情况，若击穿，则所述真空断路器的真空度不满足要求，若未击穿，则所述真空断路器的真空度满足要求。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑重，黄智伟，陈校芸，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：