一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法，电路包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路，方法包括对功率MOS管施加一定的偏置，在重离子辐照的情况下检测MOS管的源极电流，通过电流变化曲线来判断MOS管单粒子烧毁（SEB，single-event?burnout）现象是否发生。本检测方法根据MOS管器件性能参数，设置器件的源极和漏极限流电阻和充放电电容，来保证SEB现象发生时的源极电流在可被检测的范围内，同时又确保器件未被烧毁而造成MOS管的破坏性失效。本发明专利技术方法简单，可以检测一只MOS管SEB效应的多次发生，同时又具有非破坏性的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路，其特征在于包括：栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路；栅极偏置电路包括栅极电源、栅极电源监测电路、电阻R5和电容C2，漏极偏置电路包括漏极电源、漏极电源监测电路、电阻R1、R2、R4和电容C1，信号采集电路包括电流采集显示电路和电阻R3；栅极电源的正极通过电阻R5连接到被测MOS管的栅极，同时，被测MOS管的栅极还通过电容C2与栅极电源的负极以及被测MOS管的源级连接在一起，被测MOS管的漏极连接到漏极偏置电路中电阻R4的一端，电阻R4的另一端通过电阻R1连接到漏极电源的正极，同时，所述电阻R4的另一端还通过电容C1连接到信号采集电路中的电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接到栅极电源的源级，电流采集显示电路并联到电阻R3的两端，用于测量并显示流经电阻R3的电流，漏极电源的负极通过电阻R2连接到信号采集电路中的电阻R3的一端；漏极电源的监测电路并联在漏极电源的两端，用于监测漏极电源输出电压的稳定性，栅极电源的监测电路并联在栅极电源的两端，用于监测栅极电源输出电压的稳定性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文炎，李鹏伟，罗磊，于庆奎，张磊，唐民，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：