电磁感应双环加热控制装置制造方法及图纸

技术编号:9232930 阅读:212 留言:0更新日期:2013-10-04 23:08
本实用新型专利技术公开一种电磁感应双环加热控制装置,其特征在于,包括依次串接的逻辑控制芯片、IGBT驱动模块和逆变电路。其中,逆变电路包括桥式连接的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4,晶体管Q1的集电极和晶体管Q4的集电极均连接电源,且晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极、晶体管Q3的基极和晶体管Q4的基极均通过IGBT驱动模块分别连接逻辑控制芯片的其中一个PWM信号输出端,在电源与地之间依次串接的2个谐振电容C2和C3,2个谐振电容C2和C3的公共端依次串接开关K1和线圈L2之后与晶体管Q4的发射极连接,而线圈L2与晶体管Q1的发射极之间依次串接开关K2、线圈L1和谐振电容C1。本实用新型专利技术具有电路结构简单、可靠性高和器件寿命长的优点。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电磁感应双环加热控制装置,其特征在于,包括依次串接的逻辑控制芯片、IGBT驱动模块和逆变电路;其中,逆变电路包括桥式连接的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4,晶体管Q1的集电极和晶体管Q4的集电极均连接电源,且晶体管Q1的基极、晶体管Q2的基极、晶体管Q3的基极和晶体管Q4的基极均通过IGBT驱动模块分别连接逻辑控制芯片的其中一个PWM信号输出端,在电源与地之间依次串接的2个谐振电容C2和C3,2个谐振电容C2和C3的公共端依次串接开关K1和线圈L2之后与晶体管Q4的发射极连接,而线圈L2与晶体管Q1的发射极之间依次串接开关K2、线圈L1和谐振电容C1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:柳翼
申请(专利权)人:长沙理工大学
类型:实用新型
国别省市:

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