输入保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于保护核磁共振前置放大器免受输入大信号影响的输入保护电路。该输入保护电路连接于输入端口和后续前置放大器之间，包括两级保护电路。第一保护电路由交叉二极管组成，当输入信号高于工作范围时，二极管导通，电流通过二极管迅速分流而不流入后续前置放大器。第二保护电路采用电阻、电容、稳压二极管、电压比较器和MOS晶体管组成，通过电压比较器输出高、低电平信号控制MOS晶体管的导通和截止，当输入信号高于工作范围时，MOS晶体管断开，输入信号不能进入后续前置放大器。从而通过两级电路保护核磁共振前置放大器免受输入大信号的干扰。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种输入保护电路，其特征在于，连接于输入端口与核磁共振前置放大器之间，包括：?第一保护电路，其连接于输入端口与第二保护电路输入端之间，用于当所述输入信号高于工作范围时，通过允许所述输入信号的输入电流流向地，来保护所述前置放大器；以及?第二保护电路，其连接于第一保护电路输出端与核磁共振前置放大器输入端之间，用于在所述第一保护电路不能完全分流所述输入信号时，通过断开所述输入信号与所述前置放大器之间的通路，来保护所述前置放大器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王为民，林先钗，张俊宝，欧德平，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：实用新型
国别省市：