用于制造高性能多层陶瓷电容器的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造高性能多层陶瓷电容器的方法，其包括以下步骤：a)提供衬底，其具有衬底第一边缘和衬底第二边缘，其中，衬底第二边缘设置为与衬底第一边缘相对，b)使用厚膜沉积方法和/或薄膜沉积方法，将底电极层沉积到衬底上，以便底电极层从衬底第一边缘向衬底第二边缘一直延伸，从而在所沉积的底电极层与衬底第二边缘之间附近提供无底电极层的沟槽，d)使用厚膜沉积方法和/或薄膜沉积方法，将高k介电陶瓷层沉积到底电极层上，以便高k介电陶瓷层一直延伸至衬底第一边缘和衬底第二边缘，f)使用薄膜沉积方法，将低k介电层沉积到高k介电陶瓷层上，低k介电层包括氮化硅、二氧化硅和/或氧化铝，以便低k介电层一直延伸至衬底第一边缘和衬底第二边缘，h)使用厚膜沉积方法和/或薄膜沉积方法，将另一层电极层沉积到低k介电层上，以便另一层电极层一直延伸至衬底第一边缘和衬底第二边缘，j)蚀刻电容器，以便穿过在步骤f)和h)过程中沉积的另一层电极层以及低k介电层而切出沟槽，从而沟槽被设置为远离衬底第二边缘，m)贯穿与衬底的延伸部分垂直的沟槽的延伸部分而在两个边缘侧上切割电容器，以及n)使用厚膜沉积方法，以便对电容器的受切割的两个边缘侧进行金属化处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：格林·赫雷米·雷诺兹，罗伯特·小马马扎，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔采斯有限公司，
类型：
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