单能量或多能量垂直辐射敏感探测器制造技术

技术编号:9226210 阅读:158 留言:0更新日期:2013-10-04 19:58
一种垂直辐射敏感探测器阵列(114),包括至少一个探测器叶(118)。所述探测器叶包括闪烁体阵列(210、502、807、907)和光传感器电路板(200、803、903),所述闪烁体阵列至少包括底侧(218)、后侧(214)和接收辐射的顶侧(212),所述光传感器电路板(200、803、903)包括光耦合到所述闪烁体阵列的所述后侧的光敏感区域(202、508、803、903)。所述探测器叶还包括:设置在所述闪烁体阵列之下的处理电子设备(406);电学地耦合所述光敏感区域与所述处理电子设备的柔性电路板(220);以及辐射屏蔽(236),其被设置在所述闪烁体阵列的所述底部之下、所述闪烁体与所述处理电子设备之间,从而屏蔽所述处理电子设备免受穿过所述闪烁体阵列的残余辐射。一些实施例包括诸如SrI2(Eu)的稀土金属碘化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:C·R·龙达S·莱韦内R·卡尔米N·魏纳A·利夫内R·希里亚埃夫
申请(专利权)人:皇家飞利浦有限公司
类型:
国别省市:

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