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基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备制造技术

技术编号:9224471 阅读:250 留言:0更新日期:2013-10-04 18:08
本发明专利技术提出了利用重构—等效啁啾(REC)的非对称结构的DFB半导体激光器,通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器;内置布拉格光栅是等效相移光栅,相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜(AR)或不镀膜但谐振腔波导呈弧形;相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧,相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2),相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种利用重构—等效啁啾(REC)的非对称结构的DFB半导体激光器,其特征是利用重构—等效啁啾(REC)技术的非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器;内置布拉格光栅是等效相移光栅,相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜(AR)(一般反射率小于1%)或不镀膜但谐振腔波导呈弧形;相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧,具体的位置比例(L1:L2)为从0.2到0.5;其中L1表示相移左侧光栅的长度,L2表示相移右侧光栅的长度,相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:施跃春陈向飞郭仁甲刘瑞李思敏
申请(专利权)人:南京大学
类型:发明
国别省市:

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