硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法技术

本发明专利技术公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，其特征在于，包括步骤：A、硅片预处理：清洗单晶硅片；B、硅片上多孔银膜的制备：将步骤A中清洗过的硅片放入硝酸银与氢氟酸混合溶液中，静置沉积银膜，得到表面带有多孔银膜的硅片；C、硅片上硅纳米线阵列的制备：将步骤B中得到的表面带有多孔银膜的硅片放入氢氟酸与双氧水混合蚀刻液中静置蚀刻，得到表面带有硅纳米线阵列结构的硅片；D、硅?氧化硅核?壳纳米线阵列结构的制备：将步骤C中得到的表面带有硅纳米线阵列的硅片放入干净的培养皿中，培养皿放入水浴箱中，盖上水箱盖蒸，在硅纳米线表面氧化了一层氧化硅，得到带有硅?氧化硅核?壳纳米线阵列结构的硅片；E、与硅衬底脱附的硅纳...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴摞，滕大勇，李淑鑫，何微微，叶长辉，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：