用于RFID的持久节点制造技术
【技术实现步骤摘要】
用于RFID的持久节点
技术介绍
本专利技术通常涉及射频识别(RFID)设备或者标签领域，尤其是包括一个或多个持久节点的RFID设备。以标记、镶嵌、带式的形式或其他形式的RFID应答器(在这里通常被称为“标签”)被广泛用于将对象和标识码关联起来。标签通常包括一个或多个带有模拟和/或数字电子电路的天线，该模拟和/或数字电子电路包括通信电子设备(例如RF收发器)、数据存储器(用于存储一个或多个标识码)、处理逻辑(例如微控制器)和一个或多个状态存储设备。可以使用RFID标签的应用的示例包括行李跟踪、存货控制或跟踪(例如在仓库中)、包裹跟踪、建筑物或车辆的访问控制，等等。RFID标签有3种基本类型。无源标签是波束供电设备，其从阅读器产生的无线电波提炼操作所需要的能量。为了通信，无源标签创建反射到阅读器并且由阅读器读取的区域的反射率变化。这通常被称为持续的电波反向散射。电池供电的半无源标签也从阅读器接收和反射无线电波；但是，电池独立于从阅读器接收电力而为标签供电。具有独立电源的有源标签包括用于发送的其自身的射频源。阅读器，有时被称为询问器，包括用于发送RF信号至标签的发送器和用于...
【技术保护点】
一种射频识别(RFID)应答器，包括：射频(RF)收发器；处理逻辑，耦合到RF收发器；开关，耦合到第一参考电压；电容，耦合到所述开关；隧穿设备，耦合到所述开关并且与所述电容并联耦合；差分感测电路，在第一节点处耦合到所述电容和所述隧穿设备，所述感测电路确定在第一节点处的电压是否高于预定参考电压，所述感测电路当在第一节点处的电压高于所述预定参考电压时指示第一状态，并且当在第一节点处的电压低于所述预定参考电压时指示第二状态，并且其中所述感测电路的输出耦合到所述处理逻辑。
【技术特征摘要】
2012.01.20 US 13/355,4221.一种射频识别(RFID)应答器，包括：射频(RF)收发器；处理逻辑，耦合到RF收发器；开关，耦合到第一参考电压；电容电路，耦合到所述开关，所述电容电路包括电容，及隧穿设备，与所述电容并联耦合；以及差分感测电路，在第一节点处耦合到所述电容和所述隧穿设备，所述感测电路确定在第一节点处的电压是否高于预定参考电压，所述感测电路当在第一节点处的电压高于所述预定参考电压时指示第一状态，并且当在第一节点处的电压低于所述预定参考电压时指示第二状态，并且其中所述感测电路的输出耦合到所述处理逻辑。2.如权利要求1的RFID应答器，其中所述隧穿设备具有穿过CMOS工艺的MOS器件的薄氧化物的隧穿电流，该薄氧化物具有10nm和50nm之间的厚度，并且所述电容是CMOS工艺的厚氧化物MOS器件，该厚氧化物具有50nm和100nm之间的氧化物厚度。3.如权利要求1的RFID应答器，其中所述隧穿设备的面积比所述电容的面积小。4.如权利要求1的RFID应答器，其中所述隧穿设备具有穿过厚度在10nm和50nm之间的二氧化硅层的隧穿电流。5.如权利要求1的RFID应答器，其中所述开关、电容和隧穿设备的大部分放电电流是通过穿过隧穿设备的隧穿电流实现的，并且其中FET具有长沟道长度以使得在-25摄氏度至+40摄氏度的温度范围上穿过所述FET的漏电流是可忽略的。6.如权利要求5的RFID应答器，其中所述隧穿设备具有穿过厚度在10nm和50nm之间的电介质层的隧穿电流。7.如权利要求1的RFID应答器，其中所述隧穿设备包括薄栅氧化物，该薄栅氧化物将导电层从半导体集成电路(IC)的衬底中的第一衬底区域分离，并且其中所述电容包括厚栅氧化物，该厚栅氧化物将所述电容的第二栅极从所述半导体IC的衬底中的第二衬底区域分离，其中所述第二栅极和第二衬底区域作为电容的极板。8.如权利要求7的RFID应答器，其中所述隧穿设备在一电压范围内放电，该电压范围由在该范围一端处的第一参考电压和高于接地电压的预定参考电压来定义，并且所述隧穿设备继续放电至低于所述预定参考电压的电压。9.如权利要求8的RFID应答器，进一步包括：参考电压发生器，耦合到第一参考电压和接地电压，并且耦合到感测电路，所述参考电压发生器生成所述预定参考电压，并且其中所述参考电压发生器不包括任何隧穿设备。10.如权利要求9的RFID应答器，其中所述电容具有比所述隧穿设备大的电容值。11.如权利要求9的RFID应答器，其中所述开关耦合到所述处理逻辑，并且所述开关包括选择性地对所述电容和隧穿设备充电的场效应晶体管FET，并且其中所述电容具有比所述隧穿设备大的面积。12.如权利要求11的RFID应答器，其中所述隧穿设备的大部分放电电流是通过穿...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。