一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片方法技术

本发明专利技术公开了一种基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片，该传感芯片包括一个L-半胱氨酸膜层（16）修饰的金膜基片（1），该金膜基片（1）的金层一角与外包有塑料绝缘层（3）的金属丝导线（2）相连接，连接处用环氧树脂胶（4）包裹密封；所述金膜基片（1）是在抛光的氮化硅基板（11）上逐步溅射沉积SiO2膜层（12）、金属铬膜层（13）、铜镍合金膜层（14）、金膜层（15），金膜层（15）经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰L-半胱氨酸膜层（16），从而构成基于L-半胱氨酸检测汞离子的传感芯片。该传感芯片制作简单、成本低廉、使用方便，可用于环境中微量汞离子的快速检测。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于L?半胱氨酸检测汞离子的传感芯片，其特征是：该传感芯片包括一个L?半胱氨酸膜层（16）修饰的金膜基片（1），该金膜基片（1）的金层一角与外包有塑料绝缘层（3）的金属丝导线（2）相连接，连接处用环氧树脂胶（4）包裹密封。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹忠，曹婷婷，吴玲，肖忠良，宋天铭，黄大凯，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：