氦氧饱和高气压条件下细菌暴露生长模型生长舱室及应用制造技术

本发明专利技术公开了一种氦氧饱和高气压条件下细菌暴露生长模型生长舱室及应用，所述生长舱室，⑴细菌饱和暴露时，氧分压为40～50KPa；⑵细菌饱和暴露时，二氧化碳分为0.40～0.50KPa；⑶细菌饱和暴露时，温度为30～35℃；⑷细菌饱和暴露时，湿度为50～60%；⑸细菌饱和暴露时，气密性要求4.6MPa保压24小时泄漏率不大于1%；⑹细菌饱和暴露时，气体洁净度要求18～24小时保压，无其他气源检出。本发明专利技术提供了氦氧饱和高气压环境下细菌暴露稳定生长模型的建立方法；并以铜绿假单胞菌为模式菌建立了高压暴露细菌模型。该方法可用于氦氧饱和条件下细菌致病生理学研究模型的建立，为该环境中细菌职业性感染高发的机制研究、预防控制技术的建立提供了有效手段。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用于建立细菌暴露模型的氦氧饱和高气压细菌暴露生长舱室：其特征在于：?⑴细菌饱和暴露时，氧分压为40～50KPa；?⑵细菌饱和暴露时，二氧化碳分为0.40～0.50KPa；?⑶细菌饱和暴露时，温度为30～35℃；?⑷细菌饱和暴露时，湿度为50～60%；?⑸细菌饱和暴露时，生长舱室环境气密性要求4.6MPa保压24小时泄漏率不大于1%；?⑹细菌饱和暴露时，生长舱室气体洁净度要求18～24小时保压，无其他气源检出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈双红，徐雄利，陈锐勇，陈海庭，王艳军，翟宇佳，田力，李慈，武文斌，王明科，
申请(专利权)人：中国人民解放军海军医学研究所，
类型：发明
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