延TiO2纳米纤维表面生长的多级有序In2O3结构及制备方法技术

技术编号:9219408 阅读:188 留言:0更新日期:2013-10-04 14:51
本发明专利技术公开一种In2O3延TiO2纳米纤维表面取向生长结构、花状结构、树枝状结构、镂空状结构、四面体结构及其制备方法,所述TiO2纳米纤维是在通过水热合成方法制备的,所述In2O3是通过磁控溅射技术制备的,所述In2O3取向生长、花状、树枝状、镂空状、四面体结构显示出多级有序、高比表面积、高通透率;该结构具有良好光催化性能与导电性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多级有序In2O3结构,其特征在于:In2O3延TiO2纳米纤维表面生长出取向生长结构、花状结构、树枝状结构、镂空状结构或四面体结构:所述In2O3取向生长结构是由多个In2O3纳米柱取向生长、定向排列在TiO2纳米纤维表面而成的;所述In2O3花状结构是由所述的In2O3取向生长结构趋于饱和后其表面生长出的In2O3花瓣构成的;所述In2O3树枝状结构是由所述的In2O3花瓣进一步生在而成的;所述In2O3镂空状结构是由多个所述的In2O3树枝状结构自组装而成的;所述In2O3四面体结构是由所述的In2O3镂空状结构趋于饱和而成的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈旭董文钧
申请(专利权)人:浙江理工大学
类型:发明
国别省市:

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