一种提高茎瘤芥小孢子胚胎发生及植株再生效率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高茎瘤芥小孢子胚胎发生及植株再生效率的方法，包括步骤：（1）材料的选择：显微镜观察并选择2-3mm花蕾；（2）灭菌：采用0.1%的升汞灭菌12min，无菌水洗三次；（3）抽提花粉：加B5-13液体培养基进行研磨并过滤，离心；（4）热激处理：将沉淀的花粉转移至含有秋水仙素溶液的NLN-16液体培养基中，32℃暗培养48-52h；（5）诱导成胚：离心，加NLN-13液体培养基，按1.5个花蕾/皿分装到培养皿中，25℃暗置培养；（6）诱导成苗：胚状体形成后，将其移至B5-3固体培养基中进行培养。本发明专利技术创建了一套茎瘤芥游离小孢子培养技术的新方法，在茎瘤芥的育种中具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高茎瘤芥小孢子胚胎发生及植株再生效率的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）材料的选择：将茎瘤芥花蕾拨开，花药浸泡于1%醋酸洋红后捣碎染色，显微镜下进行观察；从中选择初始花朵出现为始花期第一天的开花一周内的2?3mm花蕾，所述花蕾单核靠边期和双核初期比例达到80%?90%；（2）灭菌：采用0.1%的升汞灭菌12min，无菌水洗三次，每次3min；（3）抽提花粉：把消毒后花蕾放置离心管中加B5?13液体培养基进行研磨并用400目网纱过滤，收集游离小孢子进行两次离心；（4）热激处理：将沉淀的花粉转移至含有不同浓度秋水仙素溶液的NLN?16液体培养基中，32℃条件下暗培养48?52h；（5）诱导成胚：将热激处理后小孢子进行离心，加NLN?13液体培养基按照1.5个花蕾/皿进行分装到培养皿中，封口，于25℃暗置培养，直至出胚；（6）诱导成苗：胚状体形成后，将其移至B5?3固体培养基中，于16h光照/8h黑暗条件温室下生长，间隔15?20天转接一次直至愈伤上形成植株，将所述植株切下转移至B5固体培养基中进行培养。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明贵，王毓洪，任锡亮，孟秋峰，
申请(专利权)人：宁波市农业科学研究院，
类型：发明
国别省市：