在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：A：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；B：以所述纳米合金颗粒作为催化物，沿与所述衬底相垂直的方向生长纳米线；C：结束所述纳米线的轴向生长，在所述纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张霞，任晓敏，颜鑫，李军帅，黄永清，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：