【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光掩模基板，由它制造光掩模，该光掩模包括透明衬底和在其上形成的包括对曝光光是透明的区域和有效地不透明的区域的掩模图案，所述光掩模用于在光刻中形成具有0.1μm或更小的抗蚀图案特征，所述光刻包括暴露于波长等于或小于250nm的光，所述光掩模基板包括透明衬底，设置在衬底上的光屏蔽膜，任选介于它们之间的另一膜，所述光屏蔽膜具有单层结构或多层结构且包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物，设置在光屏蔽膜上的减反射膜，所述减反射膜包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物，和形成于所述减反射膜上的蚀刻掩模膜，所述蚀刻掩模膜包含耐氟干法蚀刻的金属或金属化合物，其中所述光屏蔽膜由如下组成：仅硅，包含硅和至少一种选择氧、氮和碳的元素的硅化合物，或过渡金属硅化合物，所述减反射膜由如下组成：仅硅，包含硅和至少一种选择氧、氮和碳的元素的硅化合物，或过渡金属硅化合物，所述蚀刻掩模膜由如下组成：仅铬，包含铬和至少一种选择氧、氮和碳的元素的铬化合物，仅钽，包含钽且不含硅的钽化合物，或包含铬且不含硅的铬化合物，所述蚀刻掩模膜具有2?30nm的厚度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉川博树，稻月判臣，冈崎智，原口崇，佐贺匡，小岛洋介，千叶和明，福岛佑一，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：
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