去除有机污染物的二氧化钛纳米管阵列光电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了去除有机污染物的二氧化钛纳米管阵列光电极的制备方法，共采用五个步骤，主要是利用含钨钛片采用一步恒流恒压阳极氧化法制备三氧化钨-二氧化钛纳米管阵列，利用吸附还原法进行石墨烯修饰，制备过程简单安全，反应快速，易于控制，避免了有毒物质的使用，绿色环保，制备的纳米管形貌规则有序，无毒稳定，与纯二氧化钛纳米管阵列相比，大大提高了其可见光条件下的光催化活性，太阳光照射下对含染料、壬基酚和甲草胺废水进行光催化处理，具有良好的去除效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
去除有机污染物的二氧化钛纳米管阵列光电极的制备方法，其特征在于，步骤包括：一、将含钨钛片依次经过去污粉、氢氟酸清洗，砂纸打磨抛光后，分别在丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗后待用；二、以步骤一预处理的含钨钛片为基底，采用一步恒流恒压阳极氧化法原位制备三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列，电解液为0.3～0.6％NaF和0.5～1.5MNa2SO4混合液，温度15～30℃，电压为15～25V，电流为0.003～0.008mA/cm2，氧化1～4h，在含钨钛片表面原位生成三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列；三、将步骤二制备的三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列，在350～800℃下煅烧1.5～3h，随炉冷却后获得晶型结构不同的三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列；四、以石墨粉为原料，制备具有水溶性的氧化石墨烯，将石墨粉和硝酸钠按照质量比1∶0.5混合后加入浓硫酸中，在冰浴中搅拌，30min后将3～4倍石墨粉质量的高锰酸钾固体缓慢加入，保证反应温度低于10℃，继续搅拌8～10h后将H2O慢慢加入，在98℃下继续搅拌20～24h，加入30％H2O2搅拌均匀，随后分别用稀HCl和去离子水清洗至中性，离心过滤得到氧化石墨烯；五、以步骤三得到的三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列作为工作电极，铂电极为对电极，浸入步骤四制备的氧化石墨烯溶液，石墨烯溶液浓度10～50mg/L，还原电压为1～3V，反应2～10min，反应温度15?35℃，反应过程中不断搅拌，反应结束后，去离子水冲洗，在105℃烘干，制得石墨烯/三氧化钨?二氧化钛纳米管阵列光电极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛言君，刘永萍，马东，吴娟，崔春月，
申请(专利权)人：青岛农业大学，
类型：发明
国别省市：