一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法技术

本发明专利技术涉及一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法，它包括如下步骤：1）按Mg2(1+0.08)(Si0.3Sn0.7)1-ySby(0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物；3）将Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料。本发明专利技术具有节省能源、制备时间极短和工艺参数简单等特点，所得块体的热电优值ZT可达1.3。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法，其特征在于它包括如下步骤：1）以Mg粉、Si粉、Sn粉和Sb粉为原料，按Mg2(Si0.3Sn0.7)1?ySby（0≤y≤0.025）热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1?ySby（0≤y≤0.025）带状产物；3）将上一步所得的Mg2(Si0.3Sn0.7)1?ySby（0≤y≤0.025）带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2(Si0.3Sn...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐新峰，张强，郑云，柳伟，尹康，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：