一种MSi2O2N2:Eu2+荧光粉的快速制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MSi2O2N2:Eu2+荧光粉的快速制备方法，它包括如下步骤：(1)根据化学式M1-xSi2O2N2:Eux2+，按摩尔比称取原料氧化硅、氮化硅、碱土金属氧化物、氧化铕，然后混合均匀，即得混合均匀的原料混合粉末；(2)将原料混合粉末置于石墨模具中，在保护气氛下，对石墨模具上下两端直接施加强电流升温至1400℃-1550℃，保温0-20min后自然冷却，既得MSi2O2N2:Eu2+荧光粉。本发明专利技术升温速率快、保温时间短、荧光粉合成转化效率高并且合成的荧光粉无需破碎，合成的MSi2O2N2:Eu2+荧光粉激发波长范围宽，发射光强度高，能被紫外和蓝光LED芯片有效激发。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MSi2O2N2:Eu2+荧光粉的快速制备方法，其特征在于它包括如下步骤：(1)??根据化学式M1?xSi2O2N2:Eux2+，其中M为Ca，Sr，Ba中的任意一种，0＜x≤0.1，按摩尔比1:1:?(2?2x):?x称取原料氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4、碱土金属氧化物MO、氧化铕Eu2O3，然后混合均匀，即得混合均匀的原料混合粉末；?(2)将原料混合粉末置于石墨模具中，在保护气氛下，对石墨模具上下两端直接施加强电流使石墨模具以100?400℃/min的升温速率升温至1400℃?1550℃，保温0?20min后自然冷却，既得荧光粉，其化学式为M1?xSi2O2N2:Eux2+。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王皓，彭园，傅正义，王为民，王玉成，张清杰，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：