固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法制造方法及图纸

控制部（6）通过使读出用开关（SW1）为连接状态而使光电二极管（PD）的电荷输出到积分电路（Sn），之后，使读出用开关（SW1）为非连接状态。其后，使电压值从积分电路（Sn）向保持电路（Hn）输出。在实施了上述的输出动作后，并行地实施使积分用电容元件（C21）所保持的电荷放电并且使读出用开关（SW1）成为连接状态而使光电二极管（PD）所保持的电荷放电的动作、以及使保持电路（Hn）所保持的电压值依次输出的动作。由此，实现了能够解决由记忆效应所引起的技术问题、由延迟效应所引起的技术问题、以及由开关噪声所引起的技术问题的固体摄像装置、以及固体摄像装置的驱动方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法
本专利技术涉及固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法。
技术介绍
在专利文献1中，记载了用于通过缩短由非晶体硅（amorphoussilicon）构成的平板（flatpanel）X射线检测器中的读出时间来缩小延迟的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-110220号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题二维平板图像传感器由包含使用非晶体硅形成的光电二极管和开关元件的多个像素构成。若在利用该结构的二维平板图像传感器中加快帧率（framerate），则会显著地呈现出在使由非晶体硅形成的例如场效应晶体管（FieldEffectTransistor，以下称为“FET”）那样的开关元件成为非连接状态时电荷被瞬态地捕获（trap）的、所谓记忆效应。非晶质的非晶体硅是由于在FET的沟道（channel）捕获电荷的能级的密度高。因此，存在需要用于放出被捕获的电荷的稳定时间这样的问题（以下，称为“由记忆效应所引起的技术问题”）。此外，光电二极管所存储的电荷在规定的传送时间内不会被完全传送，具有与下一帧的数据重叠这样的问题（以下，称为“由延迟效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.01.12 JP 2011-0042841.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：受光部，由分别包含光电二极管的M×N个像素二维排列成M行N列而成；N条读出用配线，配设于各列中的每一列，经由读出用开关而与相对应的列的所述像素所包含的所述光电二极管相连接；信号连接部，具有分别与所述N条读出用配线连接并输出与经该读出用配线输入的电荷的量相对应的电压值的积分电路、经由输入用开关而与所述积分电路串联连接并保持从所述积分电路输出的电压值的保持电路、以及连接于所述保持电路并将所述保持电路所保持的电压值输出的输出用开关；以及控制部，控制各像素的所述读出用开关和所述输入用开关的开闭动作，并且控制所述输出用开关的开闭动作而使与在各像素的所述光电二极管产生的电荷的量相对应的电压值从所述保持电路依次输出，所述读出用开关是包含多晶硅的半导体开关，所述积分电路具有在所述读出用配线与所述保持电路之间串联连接的放大器、以及相对于所述放大器并联连接的积分用电容元件，所述控制部具有通过使所述读出用开关为连接状态而使所述光电二极管的电荷输出到所述积分电路，之后，使所述读出用开关为非连接状态，其后，使电压值从所述积分电路向所述保持电路输出的第1动作；使所述积分用电容元件所保持的电荷放电并且使所述读出用开关成为连接状态而使所述光电二极管所保持的电荷放电的第2动作；以及使多个所述保持电路所保持的电压值依次输出的第3动作；在实行了...

【专利技术属性】
技术研发人员：久嶋龙次，藤田一树，森治通，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：