辐射传感器制造技术

本发明专利技术提供一种辐射传感器，该辐射传感器包括第一像素和第二像素以及定位于第一像素之上的辐射吸收滤波器。吸收滤波器和第一像素的组合谱响应具有第一像素通带和第一像素阻带。辐射传感器还包括定位于第一像素和第二像素之上的干涉滤波器。干涉滤波器具有基本上在第一像素通带内的第一干涉滤波器通带和基本上在第一像素阻带内的第二干涉滤波器通带。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·芬德雷，
申请(专利权)人：意法半导体RD有限公司，
类型：
国别省市：