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激光二极管阵列和激光二极管单元制造技术

技术编号:9172807 阅读:136 留言:0更新日期:2013-09-19 22:18
本公开涉及激光二极管阵列和激光二极管单元,其中,一种激光二极管阵列包括:热消散器;彼此独立地设置在热消散器上的多个底座;以及多个激光二极管器件,包括具有不同振荡波长的两种以上激光二极管器件,激光二极管器件被设置在各自的底座上,并且彼此被电连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种激光二极管阵列,包括:热消散器;彼此独立地设置在所述热消散器上的多个底座;以及多个激光二极管器件,包括具有不同振荡波长的两种以上激光二极管器件,所述激光二极管器件被设置在各自的底座上,并且彼此被电连接。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:若林和弥大野智辉
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:

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